डार्क ग्रे पाउडर वैनेडियम (Iv) ऑक्साइड कैस 12036-21-4

कैस:12036-21-4

आणविक सूत्र:O2V

आणविक वजन:82.94

ईआईएनईसीएस:234-841-1

समानार्थी शब्द:वैनेडियम ऑक्साइड (VO2); वैनेडियमऑक्साइड(vo2); VO2; वैनेडियम टेट्राऑक्साइड; वैनेडियम ऑक्साइड; वैनेडियम (IV) ऑक्साइड; वैनेडियम डाइऑक्साइड; वैनेडियम(Ⅳ)ऑक्साइड; वैनेडियम (IV) ऑक्साइड, 99.9%; वैनेडियम(IV) ऑक्साइड 98+%; वैनेडियम (IV) ऑक्साइड 99+%; वैनेडियम (IV) ऑक्साइड (धातु आधार); वैनेडियम टेट्रोक्साइड; वैनेडियम(IV) ऑक्साइड, 99.90%; दिवानाडियम टेट्रोक्साइड; वनाडियूएम(IV) ऑक्साइड 99.9% ट्रेस धातु आधार; वैनेडियम(IV) ऑक्साइड >=99% ट्रेस धातु आधार

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वैनेडियम(Iv) ऑक्साइड कैस 12036-21-4 क्या है?

वैनेडियम डाइऑक्साइड (VO2) एक दृढ़ता से सहसंबद्ध इलेक्ट्रॉन प्रणाली बाइनरी ऑक्साइड है। इसके आंतरिक इलेक्ट्रॉनों, ऑर्बिटल्स, जाली और स्पिन के बीच मजबूत अंतःक्रिया के कारण, छोटे बाहरी उत्तेजनाओं के कारण स्थानीय इलेक्ट्रॉनों और क्रिस्टल संरचना में परिवर्तन VO2 को प्रतिवर्ती धातु परिवर्तन से गुजरने के लिए प्रेरित कर सकते हैं। VO2 की क्रिस्टल संरचना, प्रतिरोध, अवरक्त संप्रेषण, अपवर्तक सूचकांक और चुंबकीय संवेदनशीलता नाटकीय रूप से बदलती है। कमरे के तापमान के निकट चरण संक्रमण तापमान और चरण संक्रमण से पहले और बाद में भौतिक और रासायनिक गुणों में अचानक परिवर्तन के कारण ही VO2 की इलेक्ट्रॉनिक्स, सैन्य, दैनिक जीवन और अन्य क्षेत्रों में बहुत व्यापक अनुप्रयोग संभावना है।

विनिर्देश

Iमंदिर	Sमानक
उपस्थिति	गहरे भूरे रंग का पाउडर
कण आकार	100-200nm
Si	11पीपीएम
Fe	23पीपीएम
S	20पीपीएम
As	10पीपीएम
Cr	15पीपीएम
Na	20पीपीएम
K	24पीपीएम
Cl	13पीपीएम
Zr	5पीपीएम
Al	7पीपीएम
सामग्री केt	≥99.9%

आवेदन

1. एप्लिकेशन दायरे में बुद्धिमान ऊर्जा-बचत खिड़कियां, लक्ष्य छलावरण, थर्मल सुधार, आरएफ स्विच, रेज़ोनेटर, ड्राइवर, तापमान संवेदनशील डिवाइस और फ़ील्ड उत्सर्जन डिवाइस शामिल हैं;
2.फोटो प्रेरित VO2 चरण संक्रमण तेज और सुविधाजनक है, जो चरण संक्रमण गतिशीलता प्रक्रिया का अध्ययन करने के लिए फायदेमंद है। संबंधित डिवाइस अनुप्रयोगों में ऑप्टिकल स्टोरेज, सभी ऑप्टिकल स्विच, फोटोडिटेक्टर, फोटोट्रांजिस्टर आदि शामिल हैं;
3. विद्युत क्षेत्र प्रेरित VO2 चरण परिवर्तन उपकरण में एक सरल संरचना और व्यापक अनुप्रयोग संभावनाएं हैं। इसका उपयोग विद्युत स्विच, क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर, इलेक्ट्रॉनिक ऑसिलेटर, मेमरिस्टर, आरएफ स्विच, इलेक्ट्रो-ऑप्टिक मॉड्यूलेटर, आदि के रूप में किया जा सकता है;
4. विद्युत रासायनिक स्थितियों के तहत आयन डोपिंग और इलेक्ट्रोस्टैटिक प्रभावों के कारण होने वाले VO2 चरण संक्रमण का उपयोग आयनिक तरल क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर और इलेक्ट्रोक्रोमिक उपकरणों में किया जा सकता है;
5. तनाव VO2 जाली स्थिरांक को बदल देगा, इस प्रकार चरण संक्रमण के कारण इसकी इलेक्ट्रॉनिक संरचना बदल जाएगी, और इसे लचीले तनाव सेंसर के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है;
6. चरण संक्रमण प्रक्रिया में VO2 की चुंबकीय संवेदनशीलता भी अचानक बदल जाएगी, जो इसे चुंबकीय प्रशीतन और स्पिंट्रोनिक उपकरणों के क्षेत्र में संभावित रूप से मूल्यवान बनाती है।